机情观察室：骁龙835性能深度解析

　　【IT168 评测】对于当前的智能手机，SoC的重要性不言而喻。作为当前安卓阵营中最先进的平台，骁龙835在目前已经推出的旗舰机上有着：快且不热的优秀体验。从许多媒体的评价来看，骁龙835平台可以称得上近几年综合体验最为出色的一款处理器。因此，我们本期的机情观察室，就来看看骁龙835的深度性能究竟处于怎样的水平。(注：测试数据编译自ANANDTECH)。

　　在骁龙835之前，骁龙处理器都被称为SoC(系统级芯片)，而到了这一代则改名为“Platform”(平台)，其用意在于高通对于移动计算平台的整个布局，而非单独的CPU、GPU等电器元件。骁龙835采用三星10nm FinFET LPE工艺，当前半导体工艺能达到量产的最高水准，不过此次采用的是LPE工艺，不排除高通会在后续升级一个LPP工艺的版本，类似骁龙820/821一样。另外，根据高通官方的说法，骁龙835上采用30亿颗晶体管，逼近iPhone7上采用的A10 Fusion 33亿的数量，这也是高通处理器距离iPhone自主设计的A系列最近的一次。因此也带来了良好的使用体验。

　　通过这个表格，我们可以看到骁龙835采用Kryo280架构，八核心设计，最高主频为2.45GHz，小核为1.9GHz，GPU为Adreno 540，主频为710GHz，整个芯片封装尺寸减小35%。而根据高通公司的数据，骁龙835功耗降低了25%(比骁龙801降低了50%)。此外，在骁龙835平台中，还集成了双14位Spectra 180 ISP、Hexagon 690 DSP、X16 Modem。可以看到，相比于其它家的SoC，高通在SoC上覆盖到更多的计算区域，将处理器打造成智能手机的全面管家，通过“人无我有、人有我优”的概念，全面进驻到各区域。在笔者看来，这也是高通在这一代将移动处理器改名为“平台”的原因。